CMP拋光液
WEC CMP-A1拋光液包含奈米級SiO2磨料，擁有優良的物理和化學性質，適用於多種材料奈米級的高平坦化拋光，pH介於9~10，能快速移除物料表面因前制程精磨所留下的淺劃痕。
搭配耐磨耗拋光墊(WEC-PAD)，適用於生產製造卓越完工表面的電子組件、精密光學玻璃、矽晶圓基板、鍺基板、砷化鎵、磷化銦，藍寶石基板等拋光加工。其它先進的結構陶瓷材料。
粒度範圍 : 30~200 nm
應用
可使用於軟或硬材質之拋光工作，如矽晶圓，碲化鎘，砷化鎵，陶瓷玻璃，玻璃，石英，藍寶石與金屬等。
規格
在CMP的制程中，有兩個最主要的耗材。
它們決定了整個CMP成敗的關鍵。
ü拋光液 (WEC-CMP-A1 )
ü拋光墊 (WEC- PAD)
型號 |
CMP-A1 |
外觀 |
白色液體 |
固化比 |
40±2% |
沸點 |
100℃ |
比重(水=1) |
1.3±0.2 Kg/m3（20 ℃） |
黏度(cp) /溫度 (25℃) |
＜50mPa.s |
酸堿值 |
pH=9~11 |
磨料細微性 |
Mean ≒ 80nm |
磨料 |
SiO2 |
完工表面Ra |
0.35~0.48nm |
稀釋比例 |
1：1 |
測試參數 |
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設備種類 |
36” 單面拋光 |
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工件 |
4”藍寶石 x 12 片 |
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治具 |
無蠟吸附墊 + 360 陶瓷盤 |
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軸數 |
2 |
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壓力 |
0.35 kg/cm² |
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盤速 (RPM) |
60 |
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流量(Liter/min.) |
20 |
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溫度 (℃) |
39~41 |
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拋光液稀釋比 |
1:1 (固化比20%) |
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